调控 MgB$_2$(0001) 表面态
材料科学
2014-08-28 v1
摘要
我们在密度泛函理论 (DFT) 框架内研究了 B、Mg 和 Li 终止的 MgB(0001) 表面上的表面态局域化和杂化。对于 B 终止的表面，我们发现了一个低能 B 表面态、一个 sp 表面态，以及 B 和 量子阱态，这些态 90% 局域在最顶层的 B 原子层中。我们的结果表明，通过改变表面终止或通过电化学掺杂来为 B 原子层充电，B 表面态的能量会下移、被填充，并在穿过 MgB 体相能带时通过杂化而退局域化。另一方面，通过添加 Mg、Mg 或 Li 终止原子层，sp 表面态的能量应上移、被清空，并获得越来越强的金属性 s 特征。这些结果清晰地展示了 MgB(0001) 表面态的稳健性质，以及如何通过表面终止和充电来调控其局域化程度和能量范围，这对 MgB 的超导和等离激元行为具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1105.2593,
title = {Tuning MgB_2(0001) surface states},
author = {V. Despoja and D. J. Mowbray and V. M. Silkin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.2593},
year = {2014}
}
备注
11 pages, 11 figures, 4 tables