应变$\gamma$-GeSe中的可调体光伏效应
材料科学
2022-12-14 v2
摘要
最近，Lee等人[Nano Lett. \textbf{21}, 4305 (2021)]在新合成的极性相单硫属化物GeSe，称为相。受此工作启发，我们研究了-GeSe的移位电流及其通过面内单轴应变的可调性。利用第一性原理计算，我们揭示了应变-GeSe体系的电子结构。然后我们计算了不同应变下频率依赖的移位电流电导率。结果表明该可调性将移位电流增强至约20 A/V。此外，移位电流的方向可由轻微应变反转。显著地，在零频极限下发现了反常行为，这可指示由应变驱动的能带反转和潜在的拓扑相变。我们的结果表明移位电流可作为-GeSe体电子态的切实证据。
引用
@article{arxiv.2203.06790,
title = {Tunable bulk photovoltaic effect in strained $\gamma$-GeSe},
author = {Hong-Guk Min and Churlhi Lyi and Youngkuk Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.06790},
year = {2022}
}