交替磁体中的可调能带拓扑与光电导

我们研究了考虑基底诱导的 Rashba 自旋轨道耦合的二维 $d$ 波交替磁性金属。我们在外加磁场下，利用 $\Gamma$ 点附近的二维能带哈密顿量考虑了交替磁体的能带结构。结果表明，由交替磁性引起的时间反演对称性破缺，连同 Rashba 耦合和外加磁场，可以导致非平庸的能带拓扑。该拓扑相可以通过磁场的强度和方向进行调节，并由其 Chern 数分类。此外，我们通过计算有无磁场下的完整光电导张量来研究电荷响应。特别地，我们关注磁光响应，它是 Berry 曲率诱导的反常霍尔电导的有限频率类比。最后，利用 RuO$_2$ 的实验现实参数，我们估算了无磁场下的法拉第角。