二维 $d$-波 altermagnet 中的场敏感位错束缚态

当二维 $d$-波 altermagnet 生长在基片上时，源自 altermagnetism 和 Rashba 自旋轨道耦合导致的动量相关自旋分裂之间的相互作用会导致具有由 $C_{4z}\mathcal{T}$ 对称性强制的范数紧致的能带结构。如果通过交换场破坏 $C_{4z}\mathcal{T}$ 对称性，则能带范数紧致会被立即解除，导致由非平凡强和弱拓扑指数特征征的拓扑能带结构。值得注意的是，强拓扑指数和 $Z_{2}$ 值弱拓扑指数对交换场方向极其敏感。由于能带-缺陷对应原理， 我们发现该系统中交换场方向对弱拓扑指数的独特依赖性决定了晶格位错处是否存在拓扑束缚态也对交换场方向极其敏感。当基片为 $s$-波超导体时，我们发现能带拓扑对交换场的类似依赖性导致场敏感的位错马约拉纳零模。由于拓扑位错束缚态可通过扫描隧道显微镜轻松检测，我们的发现揭示了如何在日益增长的 altermagnetic 材料候选名单中进行实验诊断的前景。