扭曲的第二类 Rashba 同质双层：可调谐拓扑平带的平台

最近在扭曲的过渡金属硫族化合物同质双层和多层石墨烯中发现的拓扑平带引发了显著的研究兴趣。我们提出了一个实现可调谐拓扑莫尔平带的新平台：扭曲的第二类 Rashba 同质双层。Rashba 自旋轨道耦合与层间相互作用的相互作用产生了一个有效的赝反铁磁场，在具有非零贝里曲率的狄拉克锥内打开了一个带隙。以扭曲的 BiTeI 双层为例，我们预测了带宽极窄（低于 20 meV）的拓扑平带的出现。值得注意的是，随着扭曲角度的增加，系统经历了从谷霍尔绝缘体到量子自旋霍尔绝缘体的转变。这种转变源于扭曲驱动的有效自旋轨道耦合与第二类 Rashba 莫尔结构中存在的子晶格在位能之间的竞争。Rashba 材料在自旋轨道耦合强度、层间相互作用和扭曲角度方面的高度可调性，扩展了适用于实现和调控关联拓扑性质的材料范围。