扭曲过渡金属硫族化物同双层中的马约拉纳零模

半导体莫尔超晶格提供了一个高度可调的平台，用于研究电子关联与能带拓扑之间的相互作用。例如，广义 Kane-Mele-Hubbard 模型可由扭曲过渡金属硫族化物同双层中的拓扑莫尔平带模拟。对于该系统，我们获得了依赖于填充因子、扭转角和电场的量子相图，其中包含众多相：量子自旋霍尔绝缘体、面内反铁磁态、面外反铁磁陈绝缘体、自旋极化陈绝缘体、面内铁磁态以及 120$^\circ$ 反铁磁态。我们预测，在具有邻近超导的量子自旋霍尔绝缘体相与具有面内磁化（铁磁或反铁磁）的磁相之间形成的栅极定义结，可实现具有马约拉纳零模的一维拓扑超导体。我们的方案将半导体莫尔同双层引入为无需外磁场的电可调马约拉纳平台。