二维变磁体能量与角动量辐射的调制：离子晶格结构耦合效应

本文考察了在 Rashba 自旋轨道耦合（RSOC）和外部磁场作用下的变磁体能量与角动量辐射。利用有效低能哈密顿量，我们推导了电子能带并通过 Kubo 公式计算了光导率。结果表明，RSOC 强度、变磁相互作用强度以及南极向量方向均显著影响变磁体金属的光导率。能量辐射对 Rashba 自旋轨道耦合高度敏感，在特定值之外会出现饱和效应，其峰值发射率低于石墨烯 due to 导电性下降。与通常的半导体、半金属或 Dirac 材料（如石墨烯或硅烯）不同，变磁体在特定 Rashba 自旋轨道耦合和变磁相互作用强度下产生角动量辐射。当变磁相互作用强度较低时，角动量辐射对 Rashba 自旋轨道耦合最小化；但当变磁相互作用强度达到临界值时，角动量辐射呈现在极端值之间的剧烈振荡，表现出高度敏感性。这些发现表明，通过调整这些参数可塑造变磁体在自旋电子器件和量子技术中的应用， potentially 导致具有定制化辐射特性的创新器件。