翘曲 Dirac 材料中分数量子霍尔态的可调性
介观与纳米尺度物理
2015-06-22 v1
摘要
我们报道了锗烯和硅烯中的分数量子霍尔态，在这些材料中预期存在强自旋 - 轨道相互作用。这种相互作用导致系统价带对应的一个朗道能级中电子 - 电子相互作用强度的增强。这种增强表现为分数量子霍尔效应能隙相较于石墨烯的增加，其原因是自旋 - 轨道诱导的导带和价带朗道能级之间的耦合，这修改了相应的波函数及单能级内的相互作用。由于翘曲结构，垂直电场消除了谷简并并强烈改变了单朗道能级内的相互作用效应：在一个谷中，垂直电场增强了导带朗道能级中的相互作用强度，而在另一个谷中，电场则强烈抑制了相互作用效应。
关键词
引用
@article{arxiv.1407.4441,
title = {Tunability of the Fractional Quantum Hall States in Buckled Dirac Materials},
author = {Vadym M. Apalkov and Tapash Chakraborty},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.4441},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures