全息缺陷的输运性质
高能物理 - 理论
2009-01-09 v2 强关联电子
摘要
我们利用AdS/CFT技术应用于线性响应理论，研究了限制在(2+1)维缺陷中并与大Nc强耦合(3+1)维超Yang-Mills耦合的场的电荷输运性质。对偶系统由Nf个探针D5-或D7-膜在Nc个黑D3-膜的引力背景中描述。令人惊讶的是，两种缺陷CFT的输运性质本质上是相同的——尽管D7-膜构造破坏了所有超对称性。我们发现该系统存在一个由扰动波数给出的传导阈值，并且电荷输运源于一个准粒子谱，该谱与缺陷获得有限宽度的直观图像一致。我们还研究了由探针膜作用量中的高阶导数相互作用产生的有限λ修正。
引用
@article{arxiv.0811.0480,
title = {Transport Properties of Holographic Defects},
author = {Robert C. Myers and Matthias C. Wapler},
journal= {arXiv preprint arXiv:0811.0480},
year = {2009}
}
备注
54 pages, 22 figures, references added, minor changes to figures and comments, final version published in JHEP