含晶格位错量子点中的挠率与电子运动

Erik Aurell

含晶格位错量子点中的挠率与电子运动

介观与纳米尺度物理 2007-05-23 v1 chao-dyn 混沌动力学量子物理

作者: Erik Aurell

摘要

在连续介质图像中考虑了在底层晶格中具有一个或多个位错的量子点中导电电子的运动，其中位错由空间挠率表示。在经典运动、非相对论量子运动以及可在带挠率空间中狄拉克方程推广的非相对论极限下导出的自旋-挠率耦合项层面上，研究了挠率的可能效应。最后，在非相对论方程中考虑了类似于Pauli项的现象学自旋-挠率耦合。结果表明，在带挠率空间中经典和非相对论量子运动的不同规定原则上应产生可观测的效应。半经典论证表明，挠率与波包中心的经典运动无关。正确的半经典极限反而可以描述为由能带能量给出的哈密顿量中的经典轨迹。在球对称能带的特殊情况下，该运动简化为直线，与局部晶体取向无关。通过量纲分析，可能的自旋-挠率相互作用的耦合常数被假定为与电子有效质量、晶格常数和 $\hbar$ 的组合成正比。能级分裂非常小，跃迁频率约为1 kHz或更小。

关键词

挠率量子点位错电子运动自旋-挠率耦合狄拉克方程半经典极限

引用

@article{arxiv.cond-mat/9711258,
  title  = {Torsion and electron motion in Quantum Dots with crystal lattice dislocations},
  author = {Erik Aurell},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9711258},
  year   = {2007}
}

备注

In REVTeX, 24 pages, submitted to Phys. Rev. B

含晶格位错量子点中的挠率与电子运动

摘要

关键词

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