应变下具有过渡金属吸附原子的单层蓝磷烯中的拓扑转变
材料科学
2020-10-28 v1
摘要
我们进行了第一性原理计算，研究由 IVB 族过渡金属吸附原子（Cr、Mo 和 W）修饰的单层蓝磷烯（BlueP）的电子性质，发现 Cr 修饰的 BlueP 是磁性半金属，而 Mo 和 W 修饰的 BlueP 是带隙小于 0.2 eV 的半导体。压缩应变使带隙闭合后再打开，且此过程中发生能带反转，从而在 Mo 修饰的 BlueP（应变 -5.75%）和 W 修饰的 BlueP（应变 -4.25%）中诱导了从普通绝缘体到拓扑绝缘体（TIs）的拓扑转变。Mo 修饰 BlueP 的 TI 带隙为 94 meV，W 修饰 BlueP 的 TI 带隙为 150~220 meV。我们的发现为在具有过渡金属吸附原子的单层 BlueP 中调控拓扑相铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2001.09826,
title = {Topological transition in monolayer blue phosphorene with transiton-metal adatom under stain},
author = {Ge Hu and Jun Hu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.09826},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 6 figures