应变诱导的磷烯及磷烯纳米带中的拓扑相变
介观与纳米尺度物理
2016-08-19 v1
摘要
利用包含自旋-轨道相互作用的紧束缚（TB）近似，我们预测了在轴向应变存在下磷烯电子能带结构中的拓扑相变。我们推导出一个包含自旋-轨道相互作用的体磷烯低能 TB 哈密顿量。在结构仍保持稳定的范围内施加压缩性双轴面内应变和垂直拉伸应变会导致拓扑相变。我们还研究了应变对锯齿型磷烯纳米带（zPNRs）的影响，以及当系统处于拓扑相时相应受保护边缘态的形成。对于宽度达 100 nm 的 zPNRs，其能隙至少比室温下的热能大三个数量级。
引用
@article{arxiv.1608.05387,
title = {Strain-induced topological phase transition in phosphorene and phosphorene nanoribbons},
author = {E. Taghizadeh Sisakht and F. Fazileh and M. H. Zare and M. Zarenia and F. M. Peeters},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.05387},
year = {2016}
}
备注
10 pages, 6 figures