外尔半金属中的拓扑 Imbert-Fedorov 位移
介观与纳米尺度物理
2015-10-28 v1 材料科学
摘要
Goos-H"anchen (GH) 位移和 Imbert-Fedorov (IF) 位移是分别描述反射界面处纵向和横向侧向位移的光学现象。在此，我们报道了外尔半金属 (WSMs) 中的 GH 和 IF 位移；WSMs 是一种蕴含有低能外尔费米子（光子的无质量费米子表亲）的潜力材料。我们的结果表明，WSMs 中的 GH 位移与谷无关，这与在二维相对论材料石墨烯中发现的情况类似。然而，IF 位移此前从未在非光学系统中被探索过，此处我们显示它是谷依赖的。此外，我们发现 IF 位移实际上源于系统的拓扑效应。在实验上，拓扑 IF 位移可用于表征外尔半金属、设计高效率的谷电子器件以及测量贝里曲率。
引用
@article{arxiv.1501.06535,
title = {Topological Imbert-Fedorov shift in Weyl semimetals},
author = {Qing-Dong Jiang and Hua Jiang and Haiwen Liu and Qing-Feng Sun and X. C. Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.06535},
year = {2015}
}