面向全息 Weyl $\mathrm Z_2$ 半导体体的拓扑不变量

通过直接观察拓扑不变量的变化，可以演示拓扑相变的发生。对于全息拓扑半导体，需采用拓扑哈密顿量方法来计算拓扑不变量 due to 系统的强耦合特性。我们计算了全息 Weyl 半导体和全息 Weyl-$\mathrm Z_2$ 半导体的拓扑不变量，分别对应于手性电荷和自旋-Chern 数。通过探测系统中的费米子并从零频率格林函数推导拓扑哈密顿量来实现这一目标。在两种情况下，我们都识别出一种由无数个 Weyl 或 $\mathrm Z_2$ 节点构成的有效能带结构，这是全息系统区别于弱耦合系统的独特特征。对这些节点的拓扑不变量进行数值计算，发现不为零，从而确认了这些节点的拓扑非平凡性。