两色稠密物质的拓扑涨落

我们研究了在低温和非零化学势 $\mu$ 下，包含 $N_f=2$ 和 4 种 Wilson 费米子的 SU(2) 格点规范理论的拓扑荷涨落。拓扑磁化率 chi_T 被用于表征当 mu 在物质起始点 mu_o 和色退禁 mu_d 之间变化时的不同物理区域。还研究了物质通过 Debye 屏蔽对瞬子的抑制效应，揭示了微扰预测未能捕捉到的影响。特别是，标度不变性的破缺导致平均瞬子尺寸 rho 在起始点和退禁点之间的区域中变得依赖于 mu，在 mu_o<mu<mu_d 范围内具有 rho~1/mu^2 的标度关系，导致 chi_T 在刚过起始点时立即增强。