来自 Umklapp 散射的拓扑边缘态与分数量子霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2013-11-06 v2
摘要
我们研究了量子霍尔效应区域中存在磁场的各向异性晶格条带。在导致共振 Umklapp 散射的特定磁场下，系统在体相中具有能隙，并支持手性边缘态，这与拓扑绝缘体非常相似。这些能隙导致霍尔电导平台精确出现在整数和分数量子霍尔效应的已知填充因子 处（ 和 均为正整数且 为奇数）。对于双层条带，我们发现了拓扑相变，其相支持具有平坦色散关系的带隙中间边缘态。此处预测的拓扑效应可以直接在光学晶格中进行测试。
引用
@article{arxiv.1302.6132,
title = {Topological Edge States and Fractional Quantum Hall Effect from Umklapp Scattering},
author = {Jelena Klinovaja and Daniel Loss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.6132},
year = {2013}
}