半导体表面态的拓扑方面
强关联电子
2008-02-19 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
本文通过连接真实系统与解耦共价键模型的绝热变形，研究了半导体表面态的拓扑方面。重点关注两个拓扑不变量：一个是量子化的 Berry 相位，另一个是边缘态的数量。同时也考虑了作为另一拓扑不变量的卷绕数。利用这些拓扑不变量对 Si 和 Ge 在 (111)、(110) 和 (100) 表面的表面态进行了分类。此外还讨论了作为异质半导体的 GaAs 的表面态。
引用
@article{arxiv.0802.2425,
title = {Topological Aspects of Surface States in Semiconductors},
author = {Yoshihiro Kuge and Isao Maruyama and Yasuhiro Hatsugai},
journal= {arXiv preprint arXiv:0802.2425},
year = {2008}
}
备注
10 pages, 9 figures; two-column