阳离子无序 Cu2ZnSnS4 中的拓扑安德森绝缘体
材料科学
2021-06-29 v1 无序系统与神经网络
介观与纳米尺度物理
摘要
摘要：利用第一性原理计算并辅以实验输运测量，我们提出了首个可信的候选体系，用于在真实材料系统中实现无序诱导的拓扑安德森绝缘体。高能反应性球磨制备出具有高阳离子无序的 Cu2ZnSnS4 多晶型物，其显示出布里渊区中心的能带反序，与其有序相相反。绝热连续论证确立该无序 Cu2ZnSnS4 可连接至密切相关的 Cu2ZnSnSe4，后者此前被预测为三维拓扑绝缘体。采用 slab 几何的能带结构计算揭示了稳健表面态的存在，而结合电阻测量的阻抗谱指向此类表面态所暗示的表面主导输运；从而有力支持了一种新颖拓扑相。因此，本研究为理解并潜在利用一类易合成的多元无序化合物中的拓扑行为打开了窗口。
引用
@article{arxiv.2106.14714,
title = {Topological Anderson Insulator in cation-disordered Cu2ZnSnS4},
author = {Binayak Mukherjee and Eleonora Isotta and Narges Ataollahi and Paolo Scardi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.14714},
year = {2021}
}
备注
Correspondence: P.S. ([email protected]), B.M. ([email protected])