拓扑角模式的拓扑电路实现
介观与纳米尺度物理
2019-11-13 v2
摘要
量子化电四极绝缘体近期被提出作为二维空间维度中的新型量子物态。在其他情况下有能隙的它们，可具有受体能谱隙、反射对称性和谱对称性保护的零维拓扑角带隙间态。在此我们引入一种拓扑电路设计以在实验上实现此类角模式，并报告了将这些模式表现为电路角阻抗分布中拓扑边界共振的测量结果。尽管电子晶格的量子化体四极矩在经典拓扑电路框架中没有直接类比，但角模式从量子情形继承了相同的形式。由于电路的灵活性与可调性，它们是详细研究角模式反射对称性保护特征的理想平台。因此，我们的工作建立了一个利用拓扑电路来弥合量子理论建模与拓扑能带结构实验实现之间差距的实例。
引用
@article{arxiv.1708.03647,
title = {Topolectrical circuit realization of topological corner modes},
author = {Stefan Imhof and Christian Berger and Florian Bayer and Johannes Brehm and Laurens Molenkamp and Tobias Kiessling and Frank Schindler and Ching Hua Lee and Martin Greiter and Titus Neupert and Ronny Thomale},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.03647},
year = {2019}
}
备注
12 pages, 7 figures