具有拓扑保护角态的拓扑电路八极绝缘体

近期的理论研究将 Berry 相位框架推广以解释更高电多极矩，提出了四极和八极拓扑相。尽管二维量子化四极绝缘体已在实验中得到证实，但八极拓扑相此前尚未在实验中被观测到。在此我们报道了在电路系统中对八极拓扑绝缘体经典类比的实验实现。实验上构建了用于实现此类拓扑相的三维拓扑电路。我们观测到由体能拓扑保护的八极拓扑态，其局域于角上。我们的结果为一种针对无序和形变的鲁棒性形式提供了确凿证据，这是八极拓扑绝缘体的特征。我们的研究为三维高阶拓扑现象开辟了新途径，并为利用拓扑电路研究复杂拓扑现象铺平了道路。