3D 硅传感器设计中的时序优化与分析：TCoDe 模拟器
仪器与探测器
2021-03-24 v2 高能物理 - 实验
摘要
摘要：在未来对撞机实验的粒子径迹技术中，具有时间分辨能力的固态传感器正成为绝对必需。就此而言，具有 3D 结构的硅传感器因其固有速度和抗辐照性正成为一种有趣的解决方案。此类器件的一个特点是其性能严格依赖于几何结构，而几何结构可通过设计广泛优化，因此需要合适的工具来精确建模其行为。本文阐述了 TCoDe 模拟器的开发、性能与用途，该模拟器专用于固态传感器中载流子输运现象的快速模拟。并给出了其在 3D 传感器设计与分析中的一些有效性示例。
引用
@article{arxiv.2008.10730,
title = {Timing Optimisation and Analysis in the Design of 3D silicon sensors: the TCoDe Simulator},
author = {Angelo Loi and Andrea Contu and Adriano Lai},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.10730},
year = {2021}
}
备注
Prepared for submission to Journal of Instrumentation