3d过渡金属氧化物氧K边的阈值电子结构：组态相互作用方法
强关联电子
2009-10-31 v2
摘要
人们普遍接受，在3d过渡金属氧化物中氧K边X射线吸收谱观察到的阈值结构代表了3d过渡金属的电子结构。然而，对于正确的描述尚无共识。我们提出了一种包含基态杂化和电子关联的解释。它基于使用MO6团簇的组态相互作用团簇计算。氧K边谱通过湮灭基态中的配体空穴来计算，并与代表逆光电子发射实验（其中添加一个3d过渡金属电子）的计算进行比较。观察到与基态中产生的配体空穴量相关的明显差异。讨论了与之相关的两条“规则”。与一些早期过渡金属化合物的实验数据进行了比较，表明这种简单团簇方法相当好地解释了实验特征。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9902132,
title = {Threshold electronic structure at the oxygen K edge of 3d transition metal oxides: a configuration interaction approach},
author = {J. van Elp and Arata Tanaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9902132},
year = {2009}
}
备注
10 pages, submitted to Phys. Rev. B, tried to make a better PS file!