δ掺杂二极管中共振隧穿的托马斯-费米方法
凝聚态物理
2009-10-22 v1
摘要
我们研究了通过硅分子束外延生长的B-δ掺杂二极管中的共振隧穿。采用托马斯-费米方法获得导带调制。在有效质量近似下使用标量哈密顿量，我们证明了负微分电阻（NDR）的出现仅涉及导带态，而带间隧穿效应似乎可以忽略。我们的理论结果与此类二极管中NDR的最新实验观察非常吻合。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9411011,
title = {Thomas-Fermi approach to resonant tunneling in delta-doped diodes},
author = {Enrique Diez and Francisco Dominguez-Adame and Angel Sanchez},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9411011},
year = {2009}
}
备注
6 pages, REVTeX 3.0, 5 figures available from [email protected]