硒化锡单层跨越结构相变的热电性

SnSe 单层经历由振动模软化引发的温度诱导二维 Pnm2$_1 \to$ P4/nmm 结构转变。热电性的标准理论处理——依赖于零温声子色散与零温电子结构——无法描述由结构转变引发的热电现象。本文依靠从 {\em ab initio} 分子动力学计算获得并以非标准方式用于确定电子与振动输运系数的结构数据，建立了一条理解相变跨热电性的一般路径。与近期实验观测指出转变温度后热电优值 $ZT$ 被高估类似，我们的工作表明相较于标准范式预测值，$ZT$ 更小。其下降与结构转变发生时电导率与晶格热导率的剧烈变化有关。尽管以 SnSe 单层为例，该方法不含任何关于维度的内置假设，因此适用于一维、二维与三维的任意热电材料。