InP3 单层在室温下的高本征 ZT 值
材料科学
2019-07-24 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
室温下热电优值 ZT 大于 2.0 的二维热电材料在能量转换中极为理想，因为其效率可与传统能量转换技术竞争。在此，我们提出磷化铟（InP3）单层在弹道热输运区域内通过量子计算可提供 300 K 下 2.2 的异常 ZT。发现了极低且各向同性的声子热导率，这源于平坦的晶格振动模式。该低热导率对令人印象深刻的高 ZT 起主要作用。此外，即使对晶格施加 1% 的机械拉伸，大于 1.5 的大 ZT 仍可保持。这些结果表明 InP3 单层是低维热电应用的有前景候选者。
引用
@article{arxiv.1804.09868,
title = {High intrinsic $ZT$ in InP$_3$ monolayer at room temperature},
author = {Shenghui Zhang and Xiaobin Niu and Yiqun Xie and Kui Gong and Hezhu Shao and Yibin Hu and Yin Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.09868},
year = {2019}
}