用于多层超导量子电路的热压键合技术

可扩展的量子计算架构需要大量以低错误率运行的量子器件。基于超导量子比特的量子处理器可通过堆叠执行不同计算功能的微芯片来扩展。在本文中，我们实验演示了一种热压键合技术，该技术利用铟薄膜作为焊接剂来连接成对的光刻图案化芯片。我们在真空 $190^{\circ}C$ 下，使用厚度为 $150 nm$ 的铟薄膜进行芯片间铟键合。我们在室温和低温下表征了键合器件的直流与微波性能。在 $10 mK$ 下，我们发现直流键合电阻为 $515 n{\Omega}mm^2$。此外，与类似的未封装器件相比，我们在隧道封装的键合器件中展示了最小的微波反射和高达 $6.8 GHz$ 的良好传输。作为概念验证，我们制造并测量了一组隧道封装的超导谐振器，证明了我们的键合技术可用于量子计算应用。