基于实空间转移的高电子迁移率晶体管漏极噪声理论
介观与纳米尺度物理
2022-03-14 v1 天体物理仪器与方法
仪器与探测器
摘要
高电子迁移率晶体管因其低微波噪声系数而被广泛用作微波放大器。这些器件中的电子噪声通常由栅极和漏极处的噪声源建模。尽管关于栅极噪声的起源已有共识，漏极噪声的起源仍是一个有争议的话题。在此，我们报道了一种漏极噪声理论，将其视为由热电子从沟道到势垒的实空间转移所引起的一种分配噪声。该理论解释了漏极温度的大小及其依赖关系，并提出了实现更低噪声系数器件的策略。
引用
@article{arxiv.2108.03370,
title = {Theory of drain noise in high electron mobility transistors based on real-space transfer},
author = {Iretomiwa Esho and Alexander Y. Choi and Austin J. Minnich},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.03370},
year = {2022}
}