石墨烯中缺陷诱导的 Kondo 效应理论：Zeeman 场的影响
介观与纳米尺度物理
2015-06-12 v2 材料科学
强关联电子
摘要
研究了 Zeeman 场对石墨烯中缺陷诱导的 Kondo 效应的影响。推导了 Kondo 效应的有效模型，并基于数值重正化群方法进行了分析。研究发现，在 Zeeman 场下，处于自旋极化态和 Kondo-Yosida 单重态的边界处，存在一个不寻常的不动点，其中缺陷的熵为 ，且 的期望值为 。
引用
@article{arxiv.1212.0942,
title = {Theory of Defect-Induced Kondo Effect in Graphene: Effect of Zeeman Field},
author = {Taro Kanao and Hiroyasu Matsuura and Masao Ogata},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.0942},
year = {2015}
}
备注
Proceedings of the 20th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics. To be published in J. Phys.: Conf. Ser. One reference is added