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石墨烯中碳点缺陷处栅极控制 Kondo 效应的建模

介观与纳米尺度物理 2018-04-25 v1

摘要

我们研究了单层石墨烯中单个碳缺陷附近的磁性性质。我们在有效的双轨道单杂质模型中包含了未束缚的 σ\sigma 轨道和空位诱导的束缚 π\pi 态。由密度泛函理论计算预测的轨道间显著铁磁性 Hund 定则耦合以及库仑相互作用稳定了局域磁矩。轨道与 Dirac 费米子之间的杂化由空位附近石墨烯片的曲率产生。我们给出了利用 Wilson 数值重正化群方法针对真实石墨烯能带结构计算的局域谱函数结果,并根据填充数、受控化学势和杂化强度发现了三种不同 regime。这些不同区域具有不同的磁性特征。计算所得的谱函数与近期石墨烯空位上的扫描隧穿谱在定性上一致。

关键词

引用

@article{arxiv.1803.03196,
  title  = {Modeling of gate controlled Kondo effect at carbon point-defects in graphene},
  author = {Daniel May and Po-Wei Lo and Kira Deltenre and Anika Henke and Jinhai Mao and Yuhang Jiang and Guohong Li and Eva Y. Andrei and Guang-Yu Guo and Frithjof B. Anders},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1803.03196},
  year   = {2018}
}

备注

18 pages, 15 figures