氢化石墨烯空位$V_{111}$中拓扑零模引起的磁关联效应

本文从理论上讨论了具有三个吸附氢原子的氢化石墨烯空位$V_{111}$的拓扑零模所引起的电子关联效应。从密度泛函理论的多参考表示推导出一个Kondo模型，其中估计了零模与狄拉克锥中低能模之间的交换散射过程。即使狄拉克锥略微偏离电荷中性点，孤立$V_{111}$零模的有限在位关联能$U_0$也能使局域能级半填充，给出自旋$s=1/2$。由高阶散射过程介导的反铁磁Kondo屏蔽在空位稀极限下占主导。我们对相关两体相互作用的估计证实了低温下Kondo效应的出现。