石墨烯中缺陷诱导的 Kondo 效应：$\pi$ 电子局域态的作用

我们通过数值重正化群研究，讨论了存在于缺陷周围的局域 $\pi$ 轨道对石墨烯中缺陷诱导 Kondo 效应的作用。我们发现局域 $\pi$ 轨道促进了该 Kondo 效应，且 Kondo 温度对局域 $\pi$ 轨道的展宽敏感。其次，我们关注该 Kondo 效应的负磁阻。在实验结果中，已表明该负磁阻比通常的 Kondo 效应大十倍。为了阐明这种“磁敏感”Kondo 效应的机制，作为第一步，我们利用带有 Peierls 相的紧束缚模型研究了局域 $\pi$ 轨道的轨道磁场依赖性。我们发现，随着磁场增加，局域 $\pi$ 轨道的谱宽增加，费米能级处的局域态密度降低。由于 Kondo 温度强烈依赖于局域 $\pi$ 轨道的展宽，预期该 Kondo 效应对轨道磁场敏感，这与实验观察一致。