塞琳娜中微子实验

由非晶硒（aSe）电离靶层与用于电荷读出的硅互补金属—氧化物—半导体（CMOS）有源像素阵列耦合而成的成像传感器，是一项用于中微子物理的有前景的技术。固态靶中的高空间分辨率为寻找无中微子 $\beta\beta$ 衰变以及利用 $^{82}$Se 进行太阳中微子能谱分析提供了对天然放射性本底无与伦比的抑制能力。我们给出了在单像素器件中由 122 keV $\gamma$ 射线光吸收所测得 aSe 电离响应的结果。我们报告了基于 Topmetal-II$^{\rm -}$ 像素化 CMOS 电荷读出芯片的首个原型成像传感器的制备与测试进展。基于我们对传感器性能的实验认识，我们探讨了采用所提技术的大型中微子探测器的科学可达范围。