自旋 - 轨道耦合在 Dirac 材料拓扑保护界面态中的作用
介观与纳米尺度物理
2014-11-11 v2
摘要
我们强调，具有 Dirac 型低能带结构和自旋 - 轨道耦合的二维材料，将在 Dirac 质量改变符号的界面处产生线性色散的拓扑保护 Jackiw-Rebbi 模。这些模可能支持平行于界面的持久自旋流或谷流，而此类拓扑保护电流的确切排列关键取决于材料中自旋 - 轨道耦合的细节。作为示例，我们讨论了褶皱的二维六角晶格（如 silicene 或 germanene）以及过渡金属二硫化物（如 MoS）。
引用
@article{arxiv.1402.4347,
title = {The role of spin-orbit coupling in topologically protected interface states in Dirac materials},
author = {D. S. L. Abergel and Jonathan M. Edge and Alexander V. Balatsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.4347},
year = {2014}
}
备注
8 pages, 2 figures