超薄硼掺杂金刚石的占据态电子结构
材料科学
2019-07-02 v1
摘要
利用角分辨光电子能谱，我们比较了超薄（1.8 nm）硼掺杂金刚石 {\delta} 层与类体相硼掺杂金刚石薄膜（3 {\mu}m）的电子能带结构。令人惊讶的是，测量结果表明，除了有效质量的微小变化外，这些样品的电子结构没有显著差异，与它们的物理维度无关。虽然这表明目前尚不可能制造具有量子性质的硼掺杂金刚石结构，但这也意味着可以制造纳米尺度掺杂金刚石结构，且其保留体相掺杂金刚石的经典电子性质，而无需考虑量子限制的影响。
引用
@article{arxiv.1907.00673,
title = {The occupied electronic structure of ultrathin boron doped diamond},
author = {A. K. Schenk and A. C. Pakpour-Tabrizi and A. J. U. Holt and S. K. Mahatha and F. Arnold and M. Bianchi and R. B. Jackman and J. A. Miwa and Ph. Hofmann and S. P. Cooil and J. W. Wells and F. Mazzola},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.00673},
year = {2019}
}
备注
7 pages, 4 figures. please contact the corresponding author to access the supplementary material