掺硼金刚石的光学与电学表征
材料科学
2013-02-01 v2
摘要
利用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD) 技术，在合成 (100) 取向 Ib 型金刚石衬底上同质外延生长了掺硼单晶金刚石薄膜。拉曼光谱显示，除了金刚石的区域中心光学声子模外，在低波数区域还出现了一些额外的谱带。随着薄膜中硼含量的增加，观察到区域中心光学声子模的峰形发生变化并发生红移。通过原子力显微镜观察到，随着硼含量的增加，薄膜的表面形貌发生了改变。四点探针电学测量表明，对于这些半导体薄膜，不同的导电机制在不同的温度区间起作用。
引用
@article{arxiv.1210.7846,
title = {Optical and Electrical Characterization of Boron-Doped Diamond},
author = {Sunil K. Karna and Yogesh. K. Vohra and Samuel T. Weir},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.7846},
year = {2013}
}
备注
16 pages, 5 figures