掺硼单晶金刚石的生长形貌

利用微波等离子体辅助化学气相沉积法，在合成 (100) 型 Ib 金刚石衬底上同质外延生长了掺硼单晶金刚石薄膜。通过原子力显微镜观察到，随着等离子体中硼浓度的增加，薄膜的表面形貌发生了改变。发现在硼掺杂过程中使用氮气可以改善薄膜的表面形貌和生长速率，但会降低薄膜的电导率。拉曼光谱显示了区中心光学声子模以及低波数区域的一些额外谱带。观察到区中心光学声子模的峰形变化及其红移随薄膜中硼含量的增加而发生。然而，在工艺气体中同时存在氮气和乙硼烷的情况下生长的薄膜中，观察到了拉曼谱线的收缩和蓝移。