金刚石及掺硼金刚石中氢缺陷的电子结构与稳定性：一项密度泛函理论研究
材料科学
2014-04-28 v1
摘要
利用密度泛函理论计算研究了体相金刚石基质中的孤立氢和氢对。研究了纯金刚石和掺硼金刚石中不同可能晶格位置处孤立氢缺陷和配对氢缺陷的电子结构与稳定性。计算表明，孤立氢缺陷在纯金刚石的键中心位置和掺硼金刚石的键中心褶皱位置是稳定的。对于氢对，H2 缺陷（一个氢位于键中心，另一个位于反键位置）在纯金刚石中是稳定的，而对于掺硼金刚石，B-H2BC 络合物（一个 H 原子位于 B-C 键中心的褶皱位置，另一个位于 B 原子最近邻之一的 C-C 键的褶皱位置）最稳定。还研究了掺硼金刚石中的多个氢捕获位点。对计算结果进行了讨论，并与先前报道的理论结果进行了详细比较。
引用
@article{arxiv.1404.6326,
title = {Electronic structure and stability of hydrogen defects in diamond and boron doped diamond: A density functional theory study},
author = {Ashutosh Upadhyay and Akhilesh Kumar Singh and Amit Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.6326},
year = {2014}
}
备注
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0927025614001736. Computational Materials Science (2014)