半填充下的Kondo-Hubbard模型
强关联电子
2009-10-31 v1
摘要
我们通过强耦合极限下的微扰方法分析了半填充能带的反铁磁（J>0）Kondo-Hubbard晶格，小参数为任意紧束缚能带。结果对任意能带形状和任意维度均成立。我们得到了基本电荷和自旋激发的能量以及磁关联，以阐明半填充Kondo晶格的磁性和电荷行为。最后，我们简要分析了铁磁情形（J<0），其被证明等价于有效的反铁磁Heisenberg模型。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9808189,
title = {The Kondo-Hubbard model at half-filling},
author = {J. Perez-Conde and F. Bouis and P. Pfeuty},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9808189},
year = {2009}
}
备注
4 pages, Proceedings of SCES98/Paris