二氧化钒的绝缘相是 Mott-Hubbard 绝缘体
强关联电子
2017-02-22 v1
摘要
我们首次对二氧化钒（VO₂）的两个绝缘相——单斜 M2 相和三斜相——进行了全面的宽带光学光谱学测量。我们的主要结果是，能隙和电子结构在 M2 相和三斜相之间的一阶结构相变中基本保持不变。此外，M2 相和三斜相中的光学带间特征与研究较为充分的 VO₂ 单斜 M1 绝缘相中的观测结果 remarkably 相似。由于能隙对三个绝缘相的不同晶格结构不敏感，我们排除了 Peierls 效应作为能隙打开的主导贡献者。相反，能隙源于原子内库仑关联。
引用
@article{arxiv.1608.08227,
title = {The insulating phases of vanadium dioxide are Mott-Hubbard insulators},
author = {T. J. Huffman and C. Hendriks and E. J. Walter and Joonseok Yoon and Honglyoul Ju and R. Smith and G. L. Carr and H. Krakauer and M. M. Qazilbash},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.08227},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 4 figures