表面钝化对半导体与液氮界面处 Kapitza 热阻的影响
仪器与探测器
2023-09-26 v2 天体物理仪器与方法
摘要
将电子器件冷却至低温（< 77 K）在各种科学和工程领域至关重要。高效冷却涉及通过这些器件与液体低温剂或干式低温恒温器冷台的热接触来移除其产生的热量。然而，随着这些器件冷却，热边界电阻（也称为 Kapitza 电阻）阻碍热流跨越热界面，导致器件温度升高。在晶体管中，诸如氮化硅（SiN）等钝化层的存在引入了额外的界面，进一步阻碍散热。本文研究了钝化层厚度对固体器件与液氮界面处 Kapitza 电阻的影响。Kapitza 电阻使用经厚度为 0 至 240 nm 的 SiN 层钝化的电容温度计进行测量。我们观察到 Kapitza 电阻随钝化厚度增加而增加。
引用
@article{arxiv.2309.11192,
title = {The Impact of Surface Passivation on Kapitza Resistance at the Interface between a Semiconductor and Liquid Nitrogen},
author = {Babak Mohammadian and Mark A. McCulloch and Thomas Sweetnam and Valerio Gilles and Lucio Piccirillo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.11192},
year = {2023}
}
备注
6 pages, 5 Figures