测量钝化半导体与液氦之间的卡皮查热阻
材料科学
2023-12-08 v1
摘要
在本文中，我们描述了一项关于钝化层厚度对石英基板与液氦之间散热影响的实验研究。我们观察到，沉积 0 到 240 nm 的 SiN，卡皮查热阻每纳米增加 0.0365 m^2.K/W，高于未钝化半导体。我们假设这种卡皮查热阻的增加代表了液氦中半导体器件冷却的额外障碍。
引用
@article{arxiv.2312.03713,
title = {Measuring the Kapitza Resistance between a Passivated Semiconductor and Liquid Helium},
author = {Babak Mohammadian and Mark A. McCulloch and Valerio Gilles and Thomas Sweetnam and Lucio Piccirilo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2312.03713},
year = {2023}
}
备注
7 pages