SiH$_4$的高压超导性：强耦合方法

本文确定了SiH$_4$化合物在高压下（$p=250$ GPa）超导态的热力学参数。通过使用混合表示下的Eliashberg方程，计算了临界温度、能隙和电子有效质量。结果表明，当Coulomb赝势增加（$\mu^{\star}\in 0.1,0.3$）时，临界温度（$T_{C}$）从51.65 K降至20.62 K。无量纲比值$2\Delta(0)/k_{B}T_{C}$从4.10降至3.84，其中符号$\Delta(0)$表示接近绝对零度时的序参量值。电子有效质量与能带电子质量之比较高，在临界温度下达到最大值1.95。