Si2H6 化合物高压超导态的表征：强耦合描述

计算了在 275 GPa 压力下 ${\rm Si_{2}H_{6}}$ 中诱发的超导态的热力学参数。在 Eliashberg 形式体系框架下，研究表明临界温度可达到极高值：$T_{C}(\mu^{\star})\in<173.36, 99.99>$ K，其中库仑赝势 $(\mu^{\star})$ 的范围为 0.1 至 0.3。能隙与临界温度之比 ($R_{\Delta}$) 显著超过 BCS 理论预测的值：$R_{\Delta}(\mu^{\star})\in<4.40, 4.04>$。此外，研究指出在整个超导态存在范围内，电子有效质量 ($m^{\star}_{e}$) 很大；$[m^{\star}_{e}]^{\rm max}_{T=T_{C}}=2.397m_{e}$，其中符号 $m_{e}$ 表示电子能带质量。