TiO₂/Ti₄O₇、Ta₂O₅/TaO₂界面的电子结构及界面掺杂效应
材料科学
2016-09-07 v3
摘要
我们采用屏蔽交换（sX-LDA）泛函研究了TiO₂/Ti₄O₇和Ta₂O₅/TaO₂界面的电子结构。这两种双层结构均为高性能阻变存储器（RRAM）的有用基础架构。我们发现，两个界面的系统费米能级均恰好位于相应化学计量比氧化物导带边之上。根据Ta₂O₅和TiO₂中氧空位的电荷转变能级，氧空位在-2价态下稳定。我们提出引入界面掺杂剂以将系统费米能级下移，从而使+2价氧空位能够稳定，这对于电场下的可控开关至关重要。我们提出了几种偶极子模型，以解释界面掺杂剂导致费米能级移动的能力。
引用
@article{arxiv.1507.04479,
title = {The electronic structures of TiO2/Ti4O7, Ta2O5/TaO2 interfaces and the interfacial effects of dopants},
author = {Huanglong Li and Ziyang Zhang and Luping Shi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.04479},
year = {2016}
}