缺氧 Ta2O5 的电子结构
材料科学
2012-11-05 v1 化学物理
计算物理
摘要
我们利用改进的计算方法和模型，对晶态及缺氧 Ta2O5 进行了第一性原理描述。通过对多种候选结构进行计算，我们确定了低温相以及几种稳定的氧空位构型，这些结果与先前的研究显著不同。最稳定的电中性空位会在导带底附近诱导一个浅能级。我们研究了不同电荷态的稳定性。基于这些结果，我们讨论了能级结构对实验的影响，包括基于 Ta2O5 的电子器件中的漏电流以及催化剂相关现象。
引用
@article{arxiv.1211.0339,
title = {Electronic Structures of Oxygen-deficient Ta2O5},
author = {Yong Yang and Ho-Hyun Nahm and Osamu Sugino and Takahisa Ohno},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.0339},
year = {2012}
}
备注
23 pages, 4 figures and 2 tables in the body texts plus 4 figures in the supplementary material