样品性质对量子霍尔条中电子速度的影响
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
我们报告了关于限制势轮廓和样品尺寸对（窄）量子霍尔系统中电子速度分布影响的理论研究。电子系统的静电性质通过Thomas-Fermi-Poisson非线性屏蔽理论获得。电子速度分布作为横向坐标的函数，由费米能级处的屏蔽势斜率以及不可压缩条带（ISs）内的斜率得到。我们将我们的发现与最近的实验进行了比较。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0612519,
title = {The effect of sample properties on the electron velocity in quantum Hall bars},
author = {D. Eksi and E. Cicek and A. I. Mese and S. Aktas and A. Siddiki and T. Hakioglu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0612519},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 6 figures