臭氧氧化对单壁碳纳米管的影响

将单壁碳纳米管暴露于室温紫外光产生的臭氧中，会导致其电阻发生不可逆的增加。我们证明，电阻的增加是由于臭氧在纳米管侧壁上的氧化作用，而非在端帽处。拉曼光谱和 X 射线光电子能谱显示，纳米管的氧化导致缺陷密度增加。利用紫外光电子能谱，我们表明这些缺陷代表了费米能级附近$\pi$共轭电子态的移除，从而导致了观察到的电阻增加。碳纳米管的氧化是许多化学功能化过程中的重要第一步。由于氧化速率可通过短时间暴露进行控制，紫外光产生的臭氧有望成为一种低热预算的加工工具。