微波场增强薄膜 II 型超导体的临界参数
超导电性
2014-10-29 v1
摘要
本文给出了微波辐照增强超导薄膜超导性的实验研究结果。分析了微波辐照的功率、频率以及超导薄膜的温度和宽度对增强的临界电流以及涡旋结构消失且首次出现相位滑移线时的电流的实验依赖行为的影响。对不同宽度薄膜的实验研究表明，微波场增强超导性的效应是普遍的，既发生在超导电流沿薄膜宽度均匀分布（窄薄膜）的情况，也发生在非均匀分布（宽薄膜）的情况。结果表明，在宽薄膜中增强超导性不仅提高了临界电流和临界温度，还提高了薄膜中涡旋态能够存在的最大电流。宽薄膜中微波辐照增强超导性的现象可以用 Eliashberg 理论来描述，该理论曾被用于解释窄通道中的相同现象。实验发现，观察到超导性增强的辐照功率区间随着薄膜宽度的增加而变窄，这降低了其被探测到的概率。
引用
@article{arxiv.1410.7587,
title = {The critical parameters enhanced by microwave field in thin-film type-II superconductors},
author = {I. V. Zolochevskii},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.7587},
year = {2014}
}
备注
32 pages, 12 figures