超导薄膜静电场效应掺杂的邻近Eliashberg理论
超导电性
2017-08-16 v1 材料科学
摘要
我们在邻近效应Eliashberg理论框架下，计算了静态电场对s波单带超导体临界温度的影响。在弱静电场极限下，该理论无自由参数；而一般情况下，唯一的自由参数是电场作用的表面层厚度。我们得出结论，提高临界温度的最佳情形是拥有一种超薄超导材料薄膜，其在充电时电子-声子（玻色子）常数显著增大。
引用
@article{arxiv.1704.08159,
title = {Proximity Eliashberg theory of electrostatic field-effect-doping in superconducting films},
author = {G. A. Ummarino and E. Piatti and D. Daghero and R. S. Gonnelli and Irina Yu. Sklyadneva and E. V. Chulkov and R. Heid},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.08159},
year = {2017}
}
备注
9 pages, 5 figures