受电噪声影响的不对称共振交换量子比特

我们研究电电荷噪声对三量子点中共振交换（RX）量子比特的影响。该RX量子比特是仅交换自旋量子比特的变体，响应窄带共振频率。我们的噪声模型包括每个量子点中不相关的电荷噪声，产生两个独立（噪声）偏置参数 $\varepsilon$ 和 $\Delta$。我们计算两个量子比特态的能量分裂作为这两个偏置失谐参数的函数，以找到量子比特对噪声最不敏感的“甜点”。我们的研究表明此类甜点存在于低偏置区间，其中偏置失谐参数与跳跃参数量级相同。甜点在 $(\varepsilon,\Delta)$ 平面的位置取决于量子点间的跳跃强度和不对称性。在弱电荷噪声区间，基于这些甜点我们确定了RX量子比特的一个新的有利工作区间。